共 273 款产品

BFP405 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000

BGA420 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
商品特性 • 可级联的50 Ω增益模块 • 无条件稳定 • 在1.8 GHz时,增益|S₂₁|² = 13 dB • 在1.8 GHz时,输出三阶交调截点IP₃ₒᵤₜ = +13 dBm(Vᴅ = 3 V,Iᴅ典型值为6.7 mA) • 在1.8 GHz时,噪声系数NF = 2.2 dB • 在1.8 GHz时,反向隔离度 > 28 dB,输入/输出回波损耗 > 12 dB • 无铅(符合RoHS标准)封装

ESD200-B1-CSP0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
商品概述 这款静电放电(ESD)保护器件具有双向对称的伏安(I/V)特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护: • IEC61000 - 4 - 2(ESD):±19 kV(空气放电)/ ±17 kV(接触放电) • IEC61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群,EFT):±2 kV / ±40 A(5/50 ns) • IEC61000 - 4 - 5(浪涌):±3 A(8/20 μs) • 双向最大工作电压:VWM = ± 5.5 V • 线路电容:在f = 1 MHz时,CL = 6.5 pF • 钳位电压:在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.2 Ω时,Vcl = 13 V • 极低的泄漏电流:IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201,薄型(0.58x0.28x0.15 mm³) • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信、笔记本电脑、平板电脑、台式计算机、模块(WIFI、指纹、闪存)

BGT60TR13C E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:1041
商品概述
BGT60TR13C 是一款带有封装天线的 60 GHz 雷达传感器,能够在小封装内实现超宽带 FMCW 操作。通过数字接口可以进行传感器配置和数据采集,集成的状态机实现了独立的数据采集,并优化了功耗模式以达到最低功耗。
应用领域
雷达前端用于手势感应
高分辨率FMCW雷达
短距离感应操作
隐藏在天线罩后的感应应用

ESD131-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:285000
商品特性 • 静电放电(ESD)/瞬态保护符合以下标准:IEC61000 - 4 - 2(ESD):±20 kV(空气/接触放电);IEC61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群,EFT):±2.5 kV / ±60 A(5/50 ns);IEC61000 - 4 - 5(浪涌):±3.5 A(8/20 μs) • 双向工作电压高达:VRWM = ±5.5 V • 线路电容:在 f = 1 MHz 时,CL = 0.23 pF(典型值) • 钳位电压:当 |TLP = 16 A 且 RDYN = 0.66 Ω(典型值)时,VCL = 13 V(典型值) • 极低反向电流:IR < 100 nA(最大值) • 小尺寸贴片封装 0201,薄型设计(0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm) • 双向对称的 1/ν 特性,便于优化设计和组装 • 无铅(符合 RoHS 标准)且无卤封装 应用领域 • USB 3.0 • 火线(Firewire) • 数字视频接口(DVI) • 高清多媒体接口(HDMI) • 串行高级技术附件(S - ATA) • 显示端口(DisplayPort) • 雷电接口(Thunderbolt) • 移动 HDMI 链路 • 移动显示数字接口(MDDI) • 移动行业处理器接口(MIPI) • 单线协议(SWP)/近场通信(NFC)

ESD5V3U2U-03F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:74200
描述 超低电容 ESD 二极管阵列 特性 • 高速数据线的 ESD/瞬态保护超过:IEC61000-4-2(ESD):20 kV(空气/接触),IEC61000-4-4(EFT):40 A(5/50 ns),IEC61000-4-5(浪涌):3 A(8/20 μs)
• 最大。工作电压:5.3 V
• 极低电容:低至 0.2 pF
• 极低钳位电压:12 V 典型值
• 极低正向钳位电压:4 V 典型值
• 极低反向电流:< 1 nA 典型值
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装 应用 • 车载网关

BSS139I
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:29790
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
N沟道
耗尽型
具备dv/dt额定值
符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
引脚无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正

BFR460L3 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:9000
描述 适用于低电压/低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 非常适合 VCO 模块和低噪声放大器
• 低噪声系数:1.8 GHz 时为 1.1 dB
• SMD 无铅封装
• 出色的 ESD 性能(典型值 1500V (HBM))
• 22 GHz 的高 fT
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

BFR183 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:9000
描述 NPN 硅射频晶体管,用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为 2 mA 至 30 mA
• fT = 8 GHz,F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装 应用 • 家庭娱乐应用的半导体解决方案

BCR512 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:138000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ)
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装
• 符合 AEC Q101 要求

BAT17-04 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:372000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于 VHF/UHF 范围内的混频器应用
• 适用于高速开关应用
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

BAT165 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:1598
描述 中等功率 AF 肖特基二极管。 特性 • 正向电流:750 mA
• 反向电压:40 V
• 适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装 应用 • 电动汽车牵引逆变器

BFR106 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:62800
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 高线性低噪声射频晶体管
• 22 dBm OP1dB 和 31 dBm OIP3 @ 900 MHz,8 V,70 mA
• 适用于 UHF / VHF 应用
• 多级放大器驱动器
• 适用于线性宽带和天线放大器
• 集电极设计支持 5 V 电源电压
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

BFP740F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:39000描述 BFP740F 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 1 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms:21 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• 薄型小尺寸无引线封装 应用 • 家用机器人

BAT15-03W E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-03W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.8 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.28 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOD323 package(2.5 mm x 1.25 mm x 0.9 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

ESD245-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:300000
商品概述 这款静电放电(ESD)保护器件具有双向对称的电流 - 电压(I/V)特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护: • IEC61000 - 4 - 2(ESD):±18 kV(空气放电)/ ±15 kV(接触放电) • IEC61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群,EFT):±2 kV / ±40 A(5/50 ns) • IEC61000 - 4 - 5(浪涌):±5.5 A(8/20 μs) • 双向最大工作电压:V_WM = ± 5.5 V • 线路电容:在f = 1 MHz时,C_L = 5.8 pF • 钳位电压:在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.10 Ω时,V_cl = 7.5 V • 极低的泄漏电流:I_L = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201,薄型设计(0.58x0.28x0.15 mm³) • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑、台式电脑、模块(WIFI、指纹识别、闪存)

BFQ19S H6327
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:10000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器,频率高达 1.5 GHz,集电极电流为 10 mA 至 70 mA
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

BAR64-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量;111000
描述 这款英飞凌成本优化的射频 PIN 二极管具有快速开关高压处理能力、低功耗,最适合高达 3 GHz 的频率。其极低的电容和极低的正向电阻使其适用于各种开关应用,简化设计并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 且频率 f ≥ 1 GHz 时,电容 C = 0.23 pF(典型值)
• 正向电流 IF = 5 mA 且频率 f = 100 MHz 时,正向电阻 RF = 1.4 Ω(典型值)
• 低电感 Ls = 0.6 nH(典型值)
• 载流子寿命 τ = 75 ns(典型值)
• 行业标准 SC79 封装(1.6 mm x 0.8 mm x 0.55 mm)
• 无铅、符合 RoHS 且无卤素 应用 翻译 • Optimized for low bias current RF and high-speed interface switches and attenuators

BGA855N6 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:168000
描述 BGA855N6 旨在增强 L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度,尤其适用于非常高的精度。除了 GPS L5 和 L2 之外,GNSS LNA 还覆盖伽利略 E5a、E5b、E6、格洛纳斯 G3、G2 和北斗 B3 和 B2 频段,频率范围为 1164 MHz 至 1300 MHz。LNA 提供 17.8 dB 增益和 0.6 dB 噪声系数,电流消耗为 4.8mA。BGA855N6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.1 V 至 3.3 V。 特性 • 用于 L2/L5 频率的 GPS LNA
• 将 GPS 精度提高到厘米级(约 30 厘米)
• 改进 GPS 的室内导航
• 1.2V 支持
• 专为高精度 GPS 设备设计 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

SAK-TC397XP-256F300S BC
2202+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3
—— 技术参数 —— Product Status active and preferred Product Status active and preferred Package name PG-LFBGA-292 Package name PG-LFBGA-292 Clock Frequency max Clock Frequency max Clock Frequency 300 MHz Clock Frequency 300 MHz ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 # of cores / lockstep cores 6/4 # of cores / lockstep cores 6/4 Type of Memory Type of Memory Program Memory 16 MByte Program Memory 16 MByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte CAN Nodes 12 CAN Nodes 12 Number of ADC Modules 18 Number of ADC Modules 18 A/D Input Lines A/D Input Lines FlexRayTM 2 FlexRayTM 2 DMA Channels 128 DMA Channels 128 Temperature -40°C to 125°C Temperature -40°C to 125°C LIN 12 LIN 12 SPI 6 SPI 6 eMMC yes eMMC yes Hardware Accelerator no Hardware Accelerator no External Bus Interface External Bus Interface DSP Functionality Yes DSP Functionality Yes On-chip Clock Generation yes On-chip Clock Generation yes On-chip Voltage Regulator yes On-chip Voltage Regulator yes Real Time Clock yes Real Time Clock yes Floating Point Unit yes Floating Point Unit yes Watchdog Timer Watchdog Timer Oscillator Watchdog yes Oscillator Watchdog yes Green yes Green yes Halogen-free yes Halogen-free yes