共 3 款产品
NV6148CP01
2423+批次包装2500pcs/包
现货数量:200
—— 技术参数 —— Family GaNSlim Type Single VDS(V) 700 VDS(Dyn) 800 RDS(ON)typ. (mOhms) 120 Package DPAK-4L
GC05MPS33J-TR2
2346+批次包装3000pcs/盘
现货数量:8
—— 技术参数 —— Voltage 3300 Forward Current 5 Package TO-263-7
G3R350MT12J-TR
2411+批次包装800个/圆盘
现货数量:8
商品参数 资料纠错 查看类似商品 属性 参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 数量 1个N沟道 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 1.2kV 连续漏极电流(Id) 10A 耗散功率(Pd) 64W 阈值电压(Vgs(th)) 2.7V 属性 参数值 栅极电荷量(Qg) 10nC 输入电容(Ciss) 331pF 反向传输电容(Crss) 0.8pF 工作温度 -55℃~+175℃ 输出电容(Coss) 10pF 导通电阻(RDS(on)) 350mΩ
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联系方式：19068080998 张R
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