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BFP840ESDH6327(BFP840ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP840ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:7400
描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

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BFP780H6327(BFP780H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP780H6327
19+批次现货数量:500
描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA
·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency
·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA
·Single stage, intended for external matching
·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm
·Safe operation with single 5 V supply
·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact
·100% DC and RF tested
·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development
·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume
·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W
应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain
·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain
·IF or LO buffer amplifier
·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations
·Repeaters
·Automated test equipment
·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS
·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS
·ISM, AMR
·UHF television, CATV, DBS

60含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP760H6327(BFP760H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP760 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:42000
描述
BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
翻译
• 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
• 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
• OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

0.95含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP740ESDH6327(BFP740ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:141000
描述
BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
• 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
• NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA
• 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
• OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP740H6327(BFP740H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:156000
描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP640H6327(BFP640H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP640 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
•  1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB
• 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB
• 镀金处理，可靠性更高
• 70 GHz fT-硅锗技术
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP620H7764(BFP620H7764XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP620 H7764
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2000
描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度
• 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB
• 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz）
• 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz）
• 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP540ESDH6327(BFP540ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP540ESD H6327
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:12000
描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)）
• 出色的 Gms = 21.5 dB
• 噪声系数 F = 0.9 dB
• 镀金处理，可靠性高
• SIEGET ® 45 - Line
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP520H6327(BFP520H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP520 H6327
2133+批次包装3000pcs/盘
现货数量:48000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低噪声放大器专为低电压应用而设计，适用于 1.2 V 或 1.8 V 电源电压。支持 2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。
• 高由于传输频率高，fT = 45 GHz，高频下增益高，噪声低
• 可用于无绳电话和卫星接收器等
• 无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带可见引线

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BFP183E7764(BFP183E7764HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP183 E7764
2427+批次包装3000pcs/盘
现货数量:57000
—— 技术参数 ——
fT 8 GHz Gmax 22 dB @900 MHz ICmax 65 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz OIP3 26.5 dBm Ptot 250 mW VCEOmax 12 V

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BF776H6327(BF776H6327XTSA1）品牌Infineon(英飞凌)

BF776 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:120000
描述 高性能 NPN 双极射频晶体管 特性 • 高性能低噪声放大器
• 典型值最低噪声系数低。0.8 dB @ 1.8 GHz
• 适用于各种非汽车应用，例如 WLAN、WiMax、UWB、蓝牙、GPS、SDAR、DAB、LNB、UMTS/LTE 和 ISM 频段
• 易于使用的标准封装，带有可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BDP953H6327(BDP953H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP953 H6327
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:13000
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3A
电压 - 集射极击穿（最大值） 100V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 500mA，1V

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BCR583E6327(BCR583E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR583 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:96000
描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 标准

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BC846PNH6327(BC846PNH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BC846PN H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:33000
描述 NPN/PNP硅AF晶体管阵列 特性 • 高电流增益
• 低集电极-发射极饱和电压
• 单个封装中集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BBY66-02VH6327(BBY6602VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY66-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:150000
描述 硅调谐二极管 特性 • 高电容比
• 高品质因数 (Q) 超突变调谐二极管
• 低串联电阻
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 极低的电容扩散
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BAV70E6327(BAV70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV70 E6327
1933+批次包装3000pcs/盘
现货数0.35订货型号
量:9000
—— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用
• 共阴极配置
• BAV70S / U：有关卷轴方向，请参见
• 下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装1)
• 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BAT15-099RE6327(BAT15099RE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-099R E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099R 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 2 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.29 pF(typical)
• Industry standard SOT143(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen free

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BAT15-04RE6152(BAT1504RE6152HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-04R E6152
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:291000
描述 翻译 These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-04R a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz. 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.5 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.27 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOT23-3 package(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BAT15-02ELE6327(BAT1502ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:150000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02EL 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 0.4 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
• TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • Identity and access management

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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BAS70E6327(BAS70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS70 E6327
2126+批次包装3000pcs/盘
0.35订货型号
描述 翻译 General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
特性 翻译 • High switching speed
• Low leakage current
• High breakdown voltage
• Low capacitance
应用 翻译 • Ultra high-speed switching
• Voltage clamping

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价

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