共 317 款产品
BGS16MA12 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:4500
描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP6T 开关此 SP6T RF 开关是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用
• LTE TX 功率处理能力
• 超低插入损耗：频段 42 时为 0.65dB
• 小尺寸 1.1mm x 1.9mm
• 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
• 无需去耦电容（除非在 RF 线路上施加直流电）
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 消费类电子产品
BFP410 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 适用于低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于手持设备的低电流设备
• 适用于高频振荡器，例如用于 LNB 的 DRO
• 适用于 ISM 频段应用，例如自动抄表、传感器等。
• 传输频率 fT = 25 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD111-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:180000
描述 双向、5.5 V、0.12 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±14/±11 kV（空气/接触放电）
• IEC61000-4-4 (EFT): ±1 kV / ±20 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±2 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±5.5 V
• 线路电容：CL = 0.12 pF（典型值），f = 2.5 GHz
• 钳位电压：VCL = 30 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 1.29 Ω（典型值）
• 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 尺寸 0201 且厚度薄（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米）
• 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 智能恒温器
BFP840FESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:75000
描述 BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 85 GHz，可在高频下实现最佳的噪声系数：NFmin = 0.75 dB（5.5 GHz、1.8 V、5 mA）
• 高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• OIP3 = 22 dBm（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
• 薄型、小尺寸无引线封装
BFP405 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
BGA420 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
商品特性 • 可级联的50 Ω增益模块 • 无条件稳定 • 在1.8 GHz时，增益|S₂₁|² = 13 dB • 在1.8 GHz时，输出三阶交调截点IP₃ₒᵤₜ = +13 dBm（Vᴅ = 3 V，Iᴅ典型值为6.7 mA） • 在1.8 GHz时，噪声系数NF = 2.2 dB • 在1.8 GHz时，反向隔离度 > 28 dB，输入/输出回波损耗 > 12 dB • 无铅（符合RoHS标准）封装
ESD200-B1-CSP0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的伏安（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±19 kV（空气放电）/ ±17 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 6.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.2 Ω时，Vcl = 13 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信、笔记本电脑、平板电脑、台式计算机、模块（WIFI、指纹、闪存）
BGT60TR13C E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:1041
商品概述
BGT60TR13C 是一款带有封装天线的 60 GHz 雷达传感器，能够在小封装内实现超宽带 FMCW 操作。通过数字接口可以进行传感器配置和数据采集，集成的状态机实现了独立的数据采集，并优化了功耗模式以达到最低功耗。
应用领域
雷达前端用于手势感应
高分辨率FMCW雷达
短距离感应操作
隐藏在天线罩后的感应应用
ESD131-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:285000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准：IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电）；IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±60 A（5/50 ns）；IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3.5 A（8/20 μs） • 双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.23 pF（典型值） • 钳位电压：当 |TLP = 16 A 且 RDYN = 0.66 Ω（典型值）时，VCL = 13 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 100 nA（最大值） • 小尺寸贴片封装 0201，薄型设计（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm） • 双向对称的 1/ν 特性，便于优化设计和组装 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 3.0 • 火线（Firewire） • 数字视频接口（DVI） • 高清多媒体接口（HDMI） • 串行高级技术附件（S - ATA） • 显示端口（DisplayPort） • 雷电接口（Thunderbolt） • 移动 HDMI 链路 • 移动显示数字接口（MDDI） • 移动行业处理器接口（MIPI） • 单线协议（SWP）/近场通信（NFC）
ESD5V3U2U-03F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:74200
描述 超低电容 ESD 二极管阵列 特性 • 高速数据线的 ESD/瞬态保护超过：IEC61000-4-2（ESD）：20 kV（空气/接触），IEC61000-4-4（EFT）：40 A（5/50 ns），IEC61000-4-5（浪涌）：3 A（8/20 μs）
• 最大。工作电压：5.3 V
• 极低电容：低至 0.2 pF
• 极低钳位电压：12 V 典型值
• 极低正向钳位电压：4 V 典型值
• 极低反向电流：< 1 nA 典型值
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 车载网关
BSS139I
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:29790
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
N沟道
耗尽型
具备dv/dt额定值
符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
引脚无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
BFR460L3 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:9000
描述 适用于低电压/低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 非常适合 VCO 模块和低噪声放大器
• 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.1 dB
• SMD 无铅封装
• 出色的 ESD 性能（典型值 1500V (HBM)）
• 22 GHz 的高 fT
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
BFR183 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:9000
描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 2 mA 至 30 mA
• fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 家庭娱乐应用的半导体解决方案
BCR512 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:138000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BAT17-04 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:372000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于 VHF/UHF 范围内的混频器应用
• 适用于高速开关应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAT165 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:1598
描述 中等功率 AF 肖特基二极管。 特性 • 正向电流：750 mA
• 反向电压：40 V
• 适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 电动汽车牵引逆变器
BFR106 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:62800
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 高线性低噪声射频晶体管
• 22 dBm OP1dB 和 31 dBm OIP3 @ 900 MHz，8 V，70 mA
• 适用于 UHF / VHF 应用
• 多级放大器驱动器
• 适用于线性宽带和天线放大器
• 集电极设计支持 5 V 电源电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP740F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:39000描述 BFP740F 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 1 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms：21 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• 薄型小尺寸无引线封装 应用 • 家用机器人
BAT15-03W E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-03W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.8 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.28 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOD323 package(2.5 mm x 1.25 mm x 0.9 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
ESD245-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:300000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±5.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 5.8 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.10 Ω时，V_cl = 7.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑、台式电脑、模块（WIFI、指纹识别、闪存）
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