共 245 款产品
BGA616 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:10500
描述 BGA616 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 60 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA616 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.7 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19.0 dB
• 压缩点 P-1dB = 18 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.60 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA614 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:49000
描述 BGA614 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 40 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA614 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.4 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19 dB
• 压缩点 P-1dB = 12 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.1 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA525N6 E6327
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:33400
描述 BGA525N6 旨在增强 L1/L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其是在可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用中。由于该LNA具有高增益和超低噪声系数，因此系统灵敏度与传统LNA相比有显著提高。除了标准模式外，BGA525N6 还提供低功耗模式和高增益模式。在低功耗模式下运行时，LNA 消耗的功率不到 2 mW，从而节省宝贵的电池电量，非常适合小型电池供电的 GNSS 设备。在高增益模式下运行，LNA 可提供高达 21 dB 的增益并确保最佳性能和最快的首次修复时间。GPIO 控制接口可直接控制 4 种不同的操作模式。宽带设计确保 1164 至 1615 MHz 范围内的所有 GNSS 信号以相同的匹配方式发挥作用。BGA525N6 可实现具有一个 RF 路径的简化双频 GNSS 系统设计。 特性 • 工作频率：1164 至 1615 MHz
• 多种工作模式，适用于不同应用
• 电流消耗低至 1.5 mA
• 宽电源电压范围：1.1 V 至 3.3 V
• 插入功率增益高达 21 dB
• 噪声系数低至 0.7 dB
• 2 kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• 宽带设计允许 L1、L2、L5 同时操作
BGA524N6 E6329
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:180000
描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB
• 带外输入三阶截取点：-4dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 极低电流消耗：2.5 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA427 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2500
描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 无条件稳定
• 增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA）
• 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz
• 典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V
• 反向隔离 > 35 dB（应用 2）
• 无铅（符合 RoHS 标准的）封装
BFR92P E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:5000
描述 NPN 硅射频晶体管，适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 特性 • 适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 消费类电子产品
BFR380F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:87000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性度低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 19.5 dBm @ 1.8 GHz
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 低噪声系数 1.1 dB @ 1.8 GHz
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR360F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电流应用的低噪声放大器
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 1.8 GHz 时低噪声系数 1.0 dB
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR340F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 通用低噪声放大器
• 非常适合低电流操作
• 高击穿电压使其能够在汽车应用中运行
• 最小噪声系数 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz
• 小型封装尺寸为 1.2 x 1.2 mm2，带可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR193W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR182W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:20000
描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA
• fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP842ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:89000
描述 BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 16 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 57 GHz 可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 0.65 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，5 mA
• 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• OIP3 = 25.5 dBm @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻
BFP840ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:7400
描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
BFP780H6327
19+批次现货数量:500
描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA
·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency
·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA
·Single stage, intended for external matching
·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm
·Safe operation with single 5 V supply
·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact
·100% DC and RF tested
·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development
·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume
·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W
应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain
·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain
·IF or LO buffer amplifier
·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations
·Repeaters
·Automated test equipment
·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS
·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS
·ISM, AMR
·UHF television, CATV, DBS
BFP760 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:42000
描述
BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
翻译
• 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
• 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
• OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
BFP740ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:141000
描述
BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
• 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
• NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA
• 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
• OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
BFP740 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:156000
描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
BFP640 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB
• 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB
• 镀金处理，可靠性更高
• 70 GHz fT-硅锗技术
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP620 H7764
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2000
描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度
• 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB
• 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz）
• 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz）
• 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP540ESD H6327
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:12000
描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)）
• 出色的 Gms = 21.5 dB
• 噪声系数 F = 0.9 dB
• 镀金处理，可靠性高
• SIEGET ® 45 - Line
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
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