共 273 款产品
BCP52-16 H6327
2216+批次包装2000pcs/盘
现货数量:2000
—— 技术参数 —— fT 125 MHz hFE 100 to 250 IBMmax 200 mA ICBOmax 100 nA ICmax 100 mA IC 1000 mA ICMmax 1500 mA Ptotmax 2000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 2 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity PNP (Single)
BAL74 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
—— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装1)
• 符合 AEC Q101 要求
BCR135 E6327
2323+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ)
• BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
• BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BCR135 E6327
2323+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ)
• BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
• BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BAS70-05 E6327
2313+批次包装3000pcs/盘
现货数量:9000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管
• 电路保护
• 电压钳位
• 高电平检测和混合
• BAS70-04S：有关卷盘中的方向，请参见
• 下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BGA524N6 E6327
2111+批次包装15000pcs/盘
现货数量:4850
描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB
• 带外输入三阶截取点：-4dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 极低电流消耗：2.5 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BAR66 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
商品参数 属性 参数值 工作温度 -55℃~+125℃ 属性 参数值 功能特性
BFP640ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:108000
描述 BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料双发射极标准封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 特性 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
• 由于集成了保护电路，因此具有 2 kV ESD 抗扰度 (HBM)
• 最大射频输入功率高达 21 dBm
• 1.5 GHz 时最小噪声系数典型值为 0.65 dB，2.4 GHz 时为 0.7 dB，6 mA
• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB，2.4 GHz 时为 23 dB，30 mA
• 2.4 GHz 时 OIP3 典型值为 27 dBm，30 mA
• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在研设计（参见第 6 章）
• 易于使用，无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见
DPS368
25+批次包装2500pcs/盘
现货数量:3
描述 XENSIV ™ DPS368 是一款微型数字气压传感器，具有超高精度（±2 厘米）和低电流消耗，可测量压力和温度。其 IPX8 等级可在水下 50 米处存活一小时。电容式感应确保温度变化的高精度。小型封装（2.0 x 2.5 x 1.1 mm3）使 DPS368 成为移动应用和可穿戴设备的理想选择。 特性 • 封装尺寸：8 引脚 LGA，2.0 x 2.5 x 1.1 mm3
• 工作范围：
• 压力：300–1200 hPa
• 温度：-40–85°C
• 精度：± 0.002 hPa（或 ±0.02 m）
• 相对。精度：± 0.06 hPa（或±0.5 m）
• Abs.精度：± 1 hPa（或±8 m）
• 温度精度：± 0.5°C
• 平均。电流消耗：1.7 µA（压力测量）@1Hz 采样率，待机：0.5 µA。
• 集成 FIFO
• 接口：I2C 和 SPI（均带有可选中断） 应用 • 家用电器
BAS3010B-03W E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 中功率AF肖特基二极管 特性 • 正向电流：1A
• 反向电压：30V
• 低正向电压，低反向电流
• 适用于高效 DC/DC 转换、快速开关、保护和钳位应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车高压电动压缩机
BFR93AW H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:120000
描述 硅NPN晶体管，采用SOT323 (S-mini)塑料封装。BFR93AW使用的晶体与采用SOT23封装的BFR93A相同。
特性 金属化镀金确保极佳的可靠性
高功率增益
小型封装
应用 信号频率高达1 GHz的RF放大器、混频器和振荡器
BFR93A E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:42000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
IRLML2244TRPBF
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量15000
描述 翻译 ID:5A,VDSS:20V,RDON:35mR,VGS:12V,TYPE:P沟道,
—— 技术参数 —— Package SOT-23 ID/A 5 VDS/V 20 RDS(on)/mΩ 35 VGS/V 12 VGS(th)/V 0.4-1.0 N/P P
BCR22PN H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:810000
商品特性 • 开关电路、反相器、接口电路、驱动电路 • 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管 • 内置NPN和PNP偏置电阻（R₁ = 22 kΩ，R₂ = 22 kΩ） • 无铅（符合RoHS标准）封装 • 符合AEC Q101标准
ESD1P0RFW H6327
2450+批次包装3000pcs/盘
现货数量:68000
描述 RF ESD保护二极管 特性 • RF天线/接口或超高速数据线的ESD/瞬态保护。符合：IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 10 A (8/20 μs)
• 超低电容，典型值 1 pF（每个二极管 0.5 pF）
• 低钳位电压
• 无铅（符合 ROHS）封装
IMYH200R100M1H
25+批次包装240pcs/盘
现货数量:15
描述 采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装的 CoolSiC ™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET 旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不会影响系统的可靠性。CoolSiC ™技术的低功耗得益于 2000 V 优化封装中的 .XT 互连技术，从而提高了可靠性，可在串式逆变器、太阳能优化器、电动汽车充电和储能系统等应用中实现最高效率。 特性 • VDSS = 2000 V，适用于高直流母线
• 高达 1500 VDC
• 极低的开关损耗
• 基准栅极阈值电压
• VGS(th) = 4.5 V
• 用于硬换向的坚固二极管
• .XT 互连技术
• 提高了湿度耐受性
• 创新的 HCC 封装，具有
• 14 mm 爬电距离
• 5.5 mm 电气间隙 应用 • 储能系统
BFR193 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:50000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD259-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述 翻译 Low Clamping Voltage Bi Directional ESD/ Transient Protection DiodeTVS (transient voltage suppressor) 特性 翻译 ·ESD/transient protection according to: ·IEC61000-4-2 (ESD): ±15 kV (air/contact discharge)
·IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV/±50 A (5/50 ns)
·IEC61000-4-5 (Surge): ±2.5 A (8/20 μs)
·Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±16 V
·Line capacitance: CL = 4.2 pF (typical) at f = 1 MHz
·Optimized RF-linearity performance
·Ultra Low Dynamic Resistance RDYN = 0.29 Ω typical
·Small form factor SMD size 0201, low profile (0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm)
·Pb-Free(RoHS compliant) and halogen free package
应用 翻译 Audio line, speaker, headset, microphone
Keypad, touchpad, buttons, convenience keys
LCD displays, camera, audio lines, mobile communication, consumer products (E-Book, MP3, DVD, DSC...)
Notebooks tablets and desktop computers and their peripherals
ESD249-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品特性
静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准：
IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电/接触放电）
IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs）
双向工作电压最高可达：VRWM = ±18 V
线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 4.2 pF（典型值）
钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.27 Ω（典型值）时，VCL = 23.5 V（典型值）
极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值）
小尺寸贴片封装0201，外形低矮，尺寸为0.58 mmx0.28 mmx0.15 mm
双向对称的电流/电压（I/V）特性，便于优化设计/组装
无铅（符合RoHS标准）且无卤封装
应用领域
用于音频、耳机和人体数字接口中高灵敏度集成电路（IC）/专用集成电路（ASIC）的静电放电保护
为小型化现代电子产品提供节省空间和高性能的专用解决方案
ESD239-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:45000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流-电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电）/ ±16 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±22 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 3.2 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.27 Ω时，V_cl = 26.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小型表面贴装器件（SMD）尺寸0201，薄型封装（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 移动设备的电源线、USB Type-C 总线（Vbus）线路、快速充电 • 无线充电、近场通信（NFC）、音频线路
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联系方式：19068080998 张R
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