共 245 款产品
BAT62-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
BGS18MA12 E6327
24+批次包装4500pcs/盘
现货数量:4500
描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP8T 开关此 SP8T RF 开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用
• LTE TX 功率处理能力
• 超低插入损耗：频段 42 时为 0.78 dB
• 小尺寸 1.1mm x 1.9mm
• 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
• 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
BF998 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:207000
描述 硅N沟道MOSFET三极管 特性 • 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管
• 适用于低噪声、增益控制输入级，频率高达 1 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD113-B1-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管 特性 翻译 • ESD / transient protection of high speed data lines according to: 应用 翻译 • USB 3.0, Firewire, DVI, HDMI, S-ATA, DisplayPort, Thunderbolt
• Mobile HDMI Link, MDDI, MIPI, SWP / NFC
• Pin 1 marking(lasered)
• PinConf_and_SchematicDiag.vsd
BFP450 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 高线性低噪声 Si NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 2.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 OP1dB = 18.5 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统）
• 输出三阶互调点 OIP3 = 31 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统）
• 最大可用增益 Gma = 15.5 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz）
• 最小噪声系数 NFmin = 1.7 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz）
• 基于英飞凌可靠、高容量 25 GHz SIEGET ™系列
• 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带有可见引线
BFP460 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:90009
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电压、低电流应用的通用低噪声放大器
• 高 ESD 抗扰度，典型值 1500V (HBM)
• 1.8 GHz 时最小噪声系数低至 1.1 dB
• 高线性度：输出压缩点 OP1dB = 13 dBm @ 3V、35mA、1.8GHz
• 易于使用的标准封装，带有可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车车身控制模块 (BCM)
BAT60A E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 具有极低 VF 降（典型值）的大电流整流肖特基二极管。0.12V（IF = 10mA 时）
• 适用于电源应用
• 适用于低压应用中的钳位和保护
• 用于检测和升压转换
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 空间功率应用
BCX 53-16 H6327
26+批次包装1000pcs/盘
现货数量:20000
商品参数 属性 参数值 晶体管类型 - 集电极电流(Ic) 1A 集射极击穿电压(Vceo) 80V 耗散功率(Pd) 2W 直流电流增益(hFE) 160 属性 参数值 特征频率(fT) 125MHz 集电极截止电流(Icbo) 100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV 工作温度 -
BAS40-05 E6327
2328+批次包装3000pcs/盘
现货数量:72000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管
• 电路保护
• 电压钳位
• 高电平检测和混合
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 新能源汽车动力系统
BFN27 E6327
现货数量:24000
25+批次包装3000pcs/盘描述 PNP硅高压晶体管 特性 • 适用于电视机和开关电源的视频输出级
• 高击穿电压
• 低集电极-发射极饱和电压
• 互补类型：BFN26 (NPN)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
SMBT3904 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
商品特性 • 高电流增益 • 低集电极 - 发射极饱和电压 • 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管 • 无铅（符合RoHS标准）封装 • 符合AEC Q101标准
BCP52-16 H6327
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:2000
—— 技术参数 —— fT 125 MHz hFE 100 to 250 IBMmax 200 mA ICBOmax 100 nA ICmax 100 mA IC 1000 mA ICMmax 1500 mA Ptotmax 2000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 2 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity PNP (Single)
BCP52-16 H6327
2216+批次包装2000pcs/盘
现货数量:2000
—— 技术参数 —— fT 125 MHz hFE 100 to 250 IBMmax 200 mA ICBOmax 100 nA ICmax 100 mA IC 1000 mA ICMmax 1500 mA Ptotmax 2000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 2 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity PNP (Single)
BAL74 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
—— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装1)
• 符合 AEC Q101 要求
BCR135 E6327
2323+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ)
• BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
• BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BCR135 E6327
2323+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ)
• BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
• BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BAS70-05 E6327
2313+批次包装3000pcs/盘
现货数量:9000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管
• 电路保护
• 电压钳位
• 高电平检测和混合
• BAS70-04S：有关卷盘中的方向，请参见
• 下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BGA524N6 E6327
2111+批次包装15000pcs/盘
现货数量:4850
描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB
• 带外输入三阶截取点：-4dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 极低电流消耗：2.5 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BAR66 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
商品参数 属性 参数值 工作温度 -55℃~+125℃ 属性 参数值 功能特性
BFP640ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:108000
描述 BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料双发射极标准封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 特性 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
• 由于集成了保护电路，因此具有 2 kV ESD 抗扰度 (HBM)
• 最大射频输入功率高达 21 dBm
• 1.5 GHz 时最小噪声系数典型值为 0.65 dB，2.4 GHz 时为 0.7 dB，6 mA
• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB，2.4 GHz 时为 23 dB，30 mA
• 2.4 GHz 时 OIP3 典型值为 27 dBm，30 mA
• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在研设计（参见第 6 章）
• 易于使用，无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见
返回顶部
联系方式：19068080998 张R
地址：深圳市福田区华强广场 C 座 13E
En
首页 > 
邮箱：