共 273 款产品
ISC0702NLS
2116+批次包装5000pcs/盘
现货数量:100
商品概述 CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计导入过程中不影响其易实现性。 商品特性 适用于高频开关 针对充电器进行优化 经过100%雪崩测试 卓越的热阻性能 N沟道、逻辑电平 无铅引脚镀层;符合RoHS标准 根据IEC61249-2-21标准无卤 适用于标准等级应用 应用领域 软开关拓扑 移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
IRFR540ZTRPBF
25+批次包装2000pcs/盘
现货数量:10000
商品概述 这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,适用于各种应用。 商品特性 • 先进的工艺技术 • 超低导通电阻 • 175°C工作温度 • 快速开关 • 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩 • 无铅 • 无卤
ESD5V5U5ULC E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
商品特性 • 高速数据线的ESD/瞬态保护性能超过： • IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触） • IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV/±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±6 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM = 5.5 V • 极低电容：CL = 0.45 pF / 输入输出端到地（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值），输入输出端到地 • 极低反向钳位电压：在IPP = 16 A时，VCL = 9 V（典型值） • 可自由选择单线路对VBUS进行保护 应用领域 • 双USB2.0端口中所有输入输出端和VBUS线路的保护 • 10/100/1000以太网 • DVI、HDMI、FireWire
ESD307-U1-02N E6327
2430+ 2411+批次包装75000pcs/盘
现货数量:15000
描述 USB V BUS 线路的单向 ESD/瞬态/浪涌保护 特性 翻译 • ESD / Transient / Surge protection according to: 应用 翻译 • Surge protection of USB VBUS lines in mobile devices
• Pin 1 marking(lasered)
• PinConf_and_SchematicDiag.vsd
ESD24VS2U E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:189000
描述 硅TVS二极管 特性 • CAN/LIN 总线网络电源线的 ESD / 瞬态保护符合以下标准：IEC61000-4-2 (ESD): ±30kV (空气/接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 80 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 5 A (8/20μs)、ISO7637-2: 脉冲 1 (最大)。50 V）、脉冲 2（最大）125 V)、脉冲 3a、b (最大 800 V)
• 最大工作电压：24 V
• 低电容：24 pF 典型值
• 低钳位电压：< 41 V
• 极低反向电流：< 1 nA 典型值
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 柴油直喷式
ESD207-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 8A (8/20 µs)
• 双向，工作电压高达 VRWM = ±3.3V 最大值。
• 低电容：CL = 14 pF（典型值）
• 超低动态电阻：RDYN = 0.13 Ω 典型值。
• 低反向电流。IR = 50nA（最大值）
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装 应用 翻译 • Audio Line, Speaker, Headset, Microphone Protection
• Human Interface Devices(Keyboard, Touchpad, Buttons)
• Pin 1 marking(lasered)
• TSLP-2
• TSSLP-2
• a)Pin configuration
• b)Schematic diagram
• P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd
ESD188-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:45500
描述 具有双向I/V特性、优异钳位性能、极低电容和插入损耗的ESD保护器件 特性 • 最大工作电压：±1 V
• 二极管型 I/V 特性
• 线路电容：f = 12.8 GHz 时为 0.06 pF
• 插入损耗：f = 12.8 GHz 时 0.1 dB
• 钳位电压：ITLP = 16 A 时 6.9 V
• IEC61000-4-2 (ESD)：±20 kV（空气）/ ±15 kV（接触）
• IEC61000-4-4 (EFT)：±2 kV / ±40 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A (8/20 μs)
• 小尺寸：0.58x0.28x0.15 mm³
ESD150-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:165000
描述 双向、3.3 V、0.15 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准专为 USB 3.1 Gen 1 和 Gen 2 设计 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±12/±12 kV (空气/接触放电)
• IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV / ±30 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±3 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±3.3V
• 线路电容：CL = 0.15 pF（典型值），f = 10 GHz
• 钳位电压：VCL = 5.4 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.16 Ω（典型值）
• 极低反向电流：IL < 0.1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 尺寸 0201，薄型（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm）
• 双向对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
ESD130-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:75000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±18 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.3 pF • 钳位电压：在 ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.8 Ω 时，Vcl = 20 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装 0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • USB 3.x Gen. 1、USB 2.0 • HDMI、DisplayPort
ESD114-U1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:390000
商品特性 • 高速数据线的静电放电（ESD）/瞬态保护能力超过 • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM= 5.3mV • 超低电容：CL= 0.4 pF（典型值） • 在 ITLP= 16A 时，钳位电压极低，VCL= +20 / -15V（典型值） • 动态电阻低，RDYN= 0.5Ω（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI 等 • HDMI、DisplayPort、DVI、以太网、Firewire、S - ATA
ESD113-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
商品特性 • 依据以下标准对高速数据线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向，最高工作电压：VRWM = ±3.6 V • 超低压电容：在 f = 1 GHz 时，CL = 0.20 pF（典型值） • 极低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 14 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.45 Ω（典型值） • 无铅无卤封装（符合 RoHS 标准） 应用领域 • USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S - ATA、DisplayPort、Thunderbolt • 移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC
ESD112-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:120000
商品特性 • 依据以下标准对射频信号线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM 5.3V • 极低电容：CL= 0.2pF（典型值） • 低钳位电压：在 IPP= 16A 时，VCL= 29V（典型值） • 极低反向电流 IR< 1nA（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达 0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 敏感射频信号线、蓝牙 2 类、自动抄表系统的静电放电保护 • 射频天线保护、前端模块、全球定位系统（GPS）、移动电视、调频收音机、超宽带（UWB）
ESD110-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:90000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±15 kV（空气放电），±12 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2 A（脉冲宽度 tp = 8 / 20 μs） • 双向，工作电压高达 VRWM = ±18.5V（交流） • 超低电容：CL = 0.3 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 28 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 近场通信（NFC）应用中射频信号线的静电放电保护
ESD105-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:90000
商品特性 • 超出标准的信号线静电放电（ESD）/瞬态保护 • IEC61000-4-2（ESD）：空气放电 ±30 kV/接触放电 ±25 kV • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs） • 超小外形尺寸的单线二极管，封装尺寸低至 0.62 x 0.32 x 0.31 mm²（0201） • 双向、对称工作电压高达：VRWM = ±5.5 V • 低电容 CL = 0.3 pF（典型值） • 极低的钳位电压、低动态电阻：RDYN = 0.36 Ω（典型值） • 无铅封装（符合 RoHS 标准）和无卤封装 应用领域 • USB 3.0、10/100/1000 以太网、火线、DVI、HDMI、S-ATA、Display Ports • 移动 HDMI 链路、移动显示数字接口（MDDI）、移动行业处理器接口（MIPI）、单电线协议（SWP）、近场通信（NFC）
ESD103-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:75000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection according to:
• IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air)/ ±10 kV(contact)
• Bi-directional maximum working voltage: VWM = ±15 V
• Line capacitance: CL = 0.09 pF at f = 1 GHz
• Clamping voltage: Vcl = 48 V at ITLP = 16 A with Rdyn = 1.8 Ω
• Very low leakage current: IL = 0.1 nA
• Small form factor SMD size, low profile(0.62 x 0.32 x 0.31 mm³) 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
ESD103-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 • 高速数据线的 ESD / 瞬态保护超过：– IEC61000-4-2 (ESD): ±10 kV (接触)
ESD102-U1-02ELS E6327
25+批次包装15000cs/盘
现货数量:30000
描述 单向超低电容 ESD/瞬态保护二极管 特性 • 高速数据线的 ESD / 瞬态保护超过： – IEC61000-4-2 (ESD): ±20 kV (空气/接触) – IEC61000-4-4 (EFT): 2.5 kV / 50 A (5/50 ns) – IEC61000-4-5（浪涌）：3 A (8/20 μs)
• 最大工作电压：VRWM = 3.3 V
• 超低电容 CL = 0.4 pF（典型值）
• 极低钳位电压：IPP = 16 A 时 VCL= 8 V（典型值）[2]
• 极低动态电阻：RDYN = 0.19 Ω（典型值）[2]
• 无铅无卤素封装（符合 RoHS 标准） 应用 • 智能扬声器设计
ESD101-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:150000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection of high speed data lines according to:
• IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air), ±12 kV(contact)
• IEC61000-4-4(EFT): ±1.5 kV/±30 A(5/50 ns)
• IEC61000-4-5(surge): ±2 A(8/20 μs)
• Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±5.5 V
• Extremely low capacitance CL = 0.1 pF(typical)at f = 1 GHz
• Clamping voltage: VCL = 30 V(typical)at ITLP = 16 A with RDYN = 1.5 Ω(typical)
• Very low reverse current: IR < 0.1 nA
• Small form factor SMD sizes 0201 and 0402 low profile
• Bi-directional and symmetric I/V characteristics for optimized design/assembly 应用 • 轻型电动车解决方案
ESD101-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:75000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection of high speed data lines according to:
• IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air), ±12 kV(contact)
• IEC61000-4-4(EFT): ±1.5 kV/±30 A(5/50 ns)
• IEC61000-4-5(surge): ±2 A(8/20 μs)
• Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±5.5 V
• Extremely low capacitance CL = 0.1 pF(typical)at f = 1 GHz
• Clamping voltage: VCL = 30 V(typical)at ITLP = 16 A with RDYN = 1.5 Ω(typical)
• Very low reverse current: IR < 0.1 nA
• Small form factor SMD sizes 0201 and 0402 low profile
• Bi-directional and symmetric I/V characteristics for optimized design/assembly 应用 翻译 • Tailored for ESD protection of capacitance-susceptible application like:
ESD0P8RFL E6327
2449+ 1820+ 1903+批次包装1500pcs/盘
现货数量:33200
描述 RF ESD保护二极管 特性 • 射频天线/接口或超高速数据线的 ESD 保护符合以下标准：IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (空气/接触)，IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)，IEC61000-4-5 (浪涌): 10 A (8/20 μs)
• 超低线路电容：0.8 pF @ 1 GHz（每个二极管 0.4 pF）
• 超低串联电感：每个二极管 0.4 nH
• 超低钳位电压
• 超小型无铅封装 1.2 x 0.8 x 0.39 mm
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
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