共 317 款产品
ANT1204F002R0433A
26+批次包装1000pcs/盘
现货数量:1000
—— 技术参数 —— ConstructionConstruction ISM (915\/ 868\/ 433) 100 Single Feed\/ Port 101 Ceramic Chip 10Inductance (uH) SMD 104 419-447 105 -6.5 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.79 10Mounting 27 Length (mm) 12.3 Height (mm) 1.6
SPWH10420
25+批次包装现货数量:18
HX6098NLT
25+批次包装250pcs/盘
现货数量:192
—— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 6.600 PACKAGE LENGTH MM 18.160 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING 4PAIR POE 120W ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85
HX6096NLT
25+批次包装250pcs/盘
现货数量:30
—— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 6.600 PACKAGE LENGTH MM 18.160 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING 4PAIR POE 75W ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85
HX5004NLT
25+批次包装300pcs/盘
现货数量:190
—— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION TRANSFER MOLD NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 5.715 PACKAGE LENGTH MM 17.653 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-5 W/H LEAD IN SDR XMP SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85
HX1260NLT
25+批次包装600pcs/盘
现货数量:88
—— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 5.969 PACKAGE LENGTH MM 12.700 PACKAGE WIDTH MM 9.398 POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 100BASE-TX TEMPERATURE -40 TO +85
GC05MPS33J-TR2
2346+批次包装3000pcs/盘
现货数量:8
—— 技术参数 —— Voltage 3300 Forward Current 5 Package TO-263-7
G3R350MT12J-TR
2411+批次包装800个/圆盘
现货数量:8
商品参数 资料纠错 查看类似商品 属性 参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 数量 1个N沟道 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 1.2kV 连续漏极电流(Id) 10A 耗散功率(Pd) 64W 阈值电压(Vgs(th)) 2.7V 属性 参数值 栅极电荷量(Qg) 10nC 输入电容(Ciss) 331pF 反向传输电容(Crss) 0.8pF 工作温度 -55℃~+175℃ 输出电容(Coss) 10pF 导通电阻(RDS(on)) 350mΩ
ANT3216LL00R2400A
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:12000
商品参数 属性 参数值 天线类型 - 中心频率 2.45GHz 带宽 160MHz 增益 5.05dBi 阻抗 50Ω 属性 参数值 功率 1W 工作温度 -40℃~+105℃ 长度 3.2mm 宽度 1.6mm 高度 1.2mm0.7
ANT2525B00DT1516S
24+批次包装200pcs/一托盘
现货数量:45000
属性 参数值 天线类型 陶瓷天线 中心频率 1.575GHz；1.602GHz 属性 参数值 增益 5dBi；4.79dBi 驻波比 2
ANT1204LL20R0433A
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:90673
商品概述 1204 433MHz 芯片天线 尺寸：12.0X4.0X1.5 毫米 全向辐射 卷带自动安装 兼容回流焊工艺 符合RoHS标准 应用： • 智能电表 • 工业遥控器 • ISM频段设备 工作频率：433 MHz 带宽：28 MHz（典型值） 回波损耗：最小6.5 dB 极化方式：线性 方位角波束宽度：全向 峰值增益：0.83 dBi（典型值） 阻抗：50 Ω 工作温度：-40 至 105 ℃ 最大功率：1 W 端接：Ni / Sn（环保无铅） 耐焊接热温度：260 ℃，10秒 机械图纸： • L (毫米)：12.0 ±0.50 • W (毫米)：4.00 ±0.50 • T (毫米)：1.50 ±0.30 • A (毫米)：0.85 ±0.30 端子名称及功能： • S1：馈电点 • S2：焊接点 应用领域 • 智能电表 • 工业遥控器 • ISM频段设备
BBY58-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 硅调谐二极管 特性 • 出色的线性度
• 高 Q 值超突变调谐二极管
• 低串联电阻
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 适用于 TCXO 和 VCXO 等低频控制元件
• 极低的电容扩散
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAT62-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
BGS18MA12 E6327
24+批次包装4500pcs/盘
现货数量:4500
描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP8T 开关此 SP8T RF 开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用
• LTE TX 功率处理能力
• 超低插入损耗：频段 42 时为 0.78 dB
• 小尺寸 1.1mm x 1.9mm
• 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
• 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
BF998 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:207000
描述 硅N沟道MOSFET三极管 特性 • 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管
• 适用于低噪声、增益控制输入级，频率高达 1 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD113-B1-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管 特性 翻译 • ESD / transient protection of high speed data lines according to: 应用 翻译 • USB 3.0, Firewire, DVI, HDMI, S-ATA, DisplayPort, Thunderbolt
• Mobile HDMI Link, MDDI, MIPI, SWP / NFC
• Pin 1 marking(lasered)
• PinConf_and_SchematicDiag.vsd
BFP450 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 高线性低噪声 Si NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 2.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 OP1dB = 18.5 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统）
• 输出三阶互调点 OIP3 = 31 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统）
• 最大可用增益 Gma = 15.5 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz）
• 最小噪声系数 NFmin = 1.7 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz）
• 基于英飞凌可靠、高容量 25 GHz SIEGET ™系列
• 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带有可见引线
BFP460 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:90009
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电压、低电流应用的通用低噪声放大器
• 高 ESD 抗扰度，典型值 1500V (HBM)
• 1.8 GHz 时最小噪声系数低至 1.1 dB
• 高线性度：输出压缩点 OP1dB = 13 dBm @ 3V、35mA、1.8GHz
• 易于使用的标准封装，带有可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车车身控制模块 (BCM)
BAT60A E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 硅肖特基二极管 特性 • 具有极低 VF 降（典型值）的大电流整流肖特基二极管。0.12V（IF = 10mA 时）
• 适用于电源应用
• 适用于低压应用中的钳位和保护
• 用于检测和升压转换
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 空间功率应用
BCX 53-16 H6327
26+批次包装1000pcs/盘
现货数量:20000
商品参数 属性 参数值 晶体管类型 - 集电极电流(Ic) 1A 集射极击穿电压(Vceo) 80V 耗散功率(Pd) 2W 直流电流增益(hFE) 160 属性 参数值 特征频率(fT) 125MHz 集电极截止电流(Icbo) 100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV 工作温度 -
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