共 273 款产品
ESD120-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述 双向、2.1 V、0.28 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±15/±15 kV（空气/接触放电）
• IEC61000-4-4 (EFT): ±1.5 kV / ±30 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±1.5 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±2.1 V
• 线路电容：CL = 0.28 pF（典型值），f = 1 MHz
• 钳位电压：VCL = 19 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.94 Ω（典型值）
• 极低的反向电流：IR = 1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 封装0201 和薄型（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米）
• 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
BGS12PN10 E6327
25+批次包装7500pcs/盘
现货数量:64700
描述 BGS12PN10 是单刀双掷 (SPDT) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。BGS12PN10 可实现UL（B1 + B3）、（B2 + B4）、DL-CA（B4 + B12）和 SV-LTE（B5 + B13）的关键频段组合。该设备可处理高达 38 dBm 的极高发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。超高线性度器件对系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS12PN10 代表一流的 ISO 和 IL所有频率下的性能。 特性 • 最高射频功率：38 dBm
• 两个超低损耗端口：
• 0.17 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.22 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.26 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
• 0.37 dB @ f=3.6 GHz，PIN=33dBm
• 0.68 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
• 如果射频端口上未施加外部直流电，则无需直流去耦元件
• 高 ESD 稳健性
• 低谐波产生
• 高线性度：75dBm IIP3
• 无需电源阻断
• 电源电压范围： 1.8 至 3.6V
• 电源电压范围内无插入损耗变化
• 电源电压范围内线性度无变化
• 0.5 至 6.0 GHz 覆盖范围
• 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
• 400 µm 焊盘间距
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 翻译 • 27nH shunt inductor
BAT15-04W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:156000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-04W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.4 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.3 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOT323-3 package(2 mm x 2.1 mm x 0.9 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:
BFR360L3 E6765
25+批次包装15000pcs/盘、
现货数量:123000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 低电压/低电流操作
• 适用于低噪声放大器
• 适用于高达 3.5 GHz 且 Pout > 10 dBm 的振荡器
• 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.0 dB
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BCR401U E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:33000
描述 BCR401U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。 特性 • LED 驱动电流预设为 10 mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 40 V
• PNP 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 750 mW
• 符合 AEC Q101 要求 应用 • 高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD)
BBY57-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:28500
描述 硅调谐二极管 特性 • 出色的线性度
• 高 Q 值超突变调谐二极管
• 低串联电阻
• 高电容比
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 适用于 TCXO 和 VCXO 等控制元件
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BBY65-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:21000
描述
硅调谐二极管
特性
• 高 Q 值超突变调谐二极管
• 极低的电容扩展
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 适用于 TCXOS 和 VCXOS 等低频控制元件
• 高电容比和良好的 CV 线性度
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD203-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:5000
商品特性 • 单条数据/Vbus 线的 ESD/瞬态/浪涌保护性能超标准 • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气/接触放电） • IEC61000-4-4（EFT）：±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs） • 双向对称工作电压：VRWM = ±13.2 V • 低电容：CL = 6 pF（典型值） • 极低的 ESD 钳位电压，极低的动态电阻：RDYN = 0.29 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 键盘、触摸板、按钮、音频线等的 ESD 保护
IPP055N08NF2S
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机
ESD231-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
25+批次包装3000pcs/盘
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±12 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 3.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.3 Ω时，Vcl = 12 V • 极低的漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，低外形（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 低速USB线（D+/D-、CC/SBU）、移动产业处理器接口（MIPI）、SD卡、SIM卡 • 键盘、触摸板、按钮、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线
ESD217-B1-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气放电），±25 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±3 kV / ±60 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 非对称、双向工作电压最高可达 VRWM = +14 V / -8 V • 低电容：CL = 9 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 26 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 超低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、10/100 以太网、火线（Firewire）、数字视频接口（DVI） • 移动通信 • 消费类产品（标准电话（STD）、MP3、DVD、数码相机（DSC）等） • 液晶显示器（LCD）、相机 • 笔记本电脑和台式电脑及其外设
ESD132-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
商品概述 这款英飞凌瞬态电压抑制器（TVS）器件具有双向对称的 I / V 特性，便于优化设计和组装。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD / 瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±9 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：f = 1 MHz 时，CL = 0.45 pF • 钳位电压：ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.2 Ω 时，Vcl = 7 V • 极低漏电流：IL = 100 nA（最大值） • 小尺寸 SMD 0201 封装，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） 应用领域 • USB 3.0 / 3.1 / 3.2 Gen 1 • DVI、HDMI、Display Port
ESD128-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 静电放电/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000 - 4 - 2（静电放电）：±15 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±18 V（交流），±13 V（直流） • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，C_L = 0.3 pF • 钳位电压：在 I_TLP = 16 A 且 R_dyn = 0.85 Ω 时，V_cl = 32 V • 极低的漏电流：I_L = 1 nA • 小外形尺寸贴片封装 0201，低轮廓（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • 近场通信（NFC）应用中射频信号线的静电放电保护
IM72D128V01
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
商品概述 IM72D128V01 是一款专为需要极高信噪比（低自噪声）和低失真（高AOP）的应用而设计的超高性能数字PDM MEMS麦克风，并且具有IP57级别的防尘防水功能。一流的72dB(A)信噪比使其能够拾取远场和低音量音频。平坦的频率响应（20Hz低频滚降）和严格的制造公差提升了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风ASIC包含一个极低噪声的前置放大器和一个高性能的sigma-delta ADC。可以根据特定的时钟频率和电流消耗需求选择不同的电源模式。每个IM72D128V01麦克风都使用先进的英飞凌校准算法进行校准，从而实现了低灵敏度公差（±1dB）。 应用领域 • 主动降噪（ANC）耳机和耳塞 • 带有语音用户界面（VUI）的设备 • 智能音箱 • 家庭自动化物联网设备 • 高质量音频采集 • 笔记本电脑和平板电脑 • 会议系统 • 相机和摄像机 • 工业或家庭监控，带音频模式检测
ESD108-B1-CSP0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品特性
依据以下标准对高速数据线进行ESD/瞬态保护：
IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触放电）
IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs）
双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V
线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 0.28 pF（典型值）
钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.78 Ω（典型值）时，VCL = 20 V（典型值）
极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值）
由于极低的寄生电感，钳位过冲最小化
小尺寸SMD 0201封装且厚度低（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm）
双向对称的I/V特性，便于优化设计和组装
无铅（符合RoHS标准）且无卤封装
应用领域
USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S-ATA、DisplayPort、Thunderbolt
移动HDMI链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC
BGSX44MU18 E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:4500
商品概述 BGSX44MU18射频CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小，仅为2.0 mm×2.4 mm，厚度为0.63 mm。 商品特性 • 高达37 dBm峰值功率的高线性度 • 适用于5G SRS应用的快速切换时间（最大2 μs） • 高达7.125 GHz的低插入损耗和高端口间隔离度 • 低功耗，可使用MIPI RFFE电源 • MIPI RFFE 2.1控制接口 • 软件和硬件可编程的USID • 超薄无引脚塑料封装（MSL - 3，按照IPC/JEDEC J - STD - 20标准，260 ℃） • 符合RoHS和WEEE标准的封装 • 无卤 • 无铅 应用领域 • 蜂窝移动设备的4P4T天线路由/切换 • 5G SRS应用的4P4T天线路由/切换 • GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用 • 4x4 MIMO应用 • 降低比吸收率（SAR）
BGS16MA12 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:4500
描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP6T 开关此 SP6T RF 开关是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用
• LTE TX 功率处理能力
• 超低插入损耗：频段 42 时为 0.65dB
• 小尺寸 1.1mm x 1.9mm
• 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
• 无需去耦电容（除非在 RF 线路上施加直流电）
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 消费类电子产品
BFP410 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 适用于低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于手持设备的低电流设备
• 适用于高频振荡器，例如用于 LNB 的 DRO
• 适用于 ISM 频段应用，例如自动抄表、传感器等。
• 传输频率 fT = 25 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD111-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:180000
描述 双向、5.5 V、0.12 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±14/±11 kV（空气/接触放电）
• IEC61000-4-4 (EFT): ±1 kV / ±20 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±2 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±5.5 V
• 线路电容：CL = 0.12 pF（典型值），f = 2.5 GHz
• 钳位电压：VCL = 30 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 1.29 Ω（典型值）
• 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 尺寸 0201 且厚度薄（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米）
• 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 智能恒温器
BFP840FESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:75000
描述 BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 85 GHz，可在高频下实现最佳的噪声系数：NFmin = 0.75 dB（5.5 GHz、1.8 V、5 mA）
• 高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• OIP3 = 22 dBm（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
• 薄型、小尺寸无引线封装
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