共 317 款产品
BCR523 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述
NPN硅数字晶体管
特性
• 开关电路、逆变电路、驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1= 1 kΩ, R2= 10 kΩ)
• BCR523U：两个（电流）内部隔离晶体管，采用单一封装，匹配性良好
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BCR533 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述
NPN硅数字晶体管
特性
• 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 标准
PA1835NLT
26+批次包100pcs/盘
现货数量:10000
—— 技术参数 ——
Inductance (uH)
4.5
Footprint Area (LxW) (mm2)
630.6
Mounting
SMT
1DCR (mOhms)
FLYBACK
1Construction
33
Inductance (uH)5
FUNCTIONAL
Inductance (uH)Construction
0
30
3
ConstructionDCR (mOhms)
36-72
Length (mm)
29.21
Height (mm)
11.43
114
Low Voltage (4-80V)
Width (mm)
21.59
1DCR (mOhms)5
1800
Automotive (Y/N)
IM69D127V11
26+批次包装5000pcs/盘
现货数量:30000
描述
是一款超高性能数字PDM MEMS麦克风，专为需要非常高信噪比（低自噪声）和低失真（高AOP）的应用而设计，并且具有IP57级防尘防水能力。一流的69dB(A)信噪比，可实现远场和低音量音频拾取。平坦的频率响应（40Hz低频滚降）和严格的制造公差，提高了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风ASIC包含一个极低噪声前置放大器和一个高性能sigma-delta ADC。可以选择不同的功率模式，以满足特定的时钟频率和电流消耗要求。每个麦克风都采用先进的校准算法进行校准，从而实现低灵敏度公差 (±1dB)。
TLV4961-1TA
25+批次包装4000pcs/袋
现货数量:32000
描述
TLV496x-xTA/B 磁性开关系列：非常适合非接触式位置传感。精密霍尔开关/锁存器（单极/双极）的经济高效的解决方案。宽工作温度范围和优异的磁性能。适用于索引计数、转子位置检测（在 BLDC 电机中）、开/关检测。
特性
• 3.0 V 至 26 V 工作电源电压
• 低电流消耗 1.6 mA
• ESD 保护 4 kV HBM
• 采用非稳压电源供电
• 输出过流、过热保护
• 主动误差补偿（斩波）
• 工作温度范围：-40 °C 至 125 °C
• 高 ESD 性能
• 符合 JESD47 标准
应用
翻译
• Target applications for the TLV496x Hall Latch family are all applications which require a high precision Hall Latch with an operating temperature range from -40°C to 125°C.
• The magnetic behavior as a latch and switching thresholds of typical ±2 mT make the device especially suited for the use with a pole wheel for index counting applications, for rotor position detection as in brushless DC motor commutation and for white goods or open/closing detection.
BAT54-04W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述
硅肖特基二极管
特性
• 适用于低损耗、快速恢复、电表保护
• 偏置隔离和钳位应用
• 保护环保护
• 低正向电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
应用
• 舱内无线充电
BFU550A
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述
翻译
NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT23package.
The BFU550A is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to mediumpower applications up to 2 GHz.
特性
翻译
Low noise, high breakdown RF transistor
AEC-Q101 qualified
Minimum noise figure (NFmin) = 0.6 dB at 900 MHz
Maximum stable gain 18 dB at 900 MHz
11 GHz fT silicon technology
应用
要求高电源电压和高击穿电压的应用
高达2 GHz的宽带放大器
针对ISM应用的低噪声放大器
ISM频段振荡器
U3115C
25+批次包装4000pcs/盘
现货数量:4000
描述
U3115C完全运行至 +200V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 200 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或IGBT。
特性
翻译
• Integrated bootstrap Diode(1)
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +350V
• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
• Gate drive supply range from 5 to 20V
• Undervoltage lockout
• 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels
ESD203-B1-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述
超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管
特性
• ESD/瞬态保护符合以下标准：– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 50 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 5A (8/20 µs)
• 双向，工作电压最高可达 VRWM = ±12 V。
• 低电容：CL = 6 pF（典型值）
• 超低动态电阻：RDYN = 0.29 Ω 典型值。
• 低反向电流。IR = 50nA（最大值）
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装
应用
翻译
• ESD protection of keypad, touchpad, buttons, audio lines, ect.
• Pin 1 marking(lasered)
• TSLP-2
• TSSLP-2
• a)Pin configuration
• b)Schematic diagram
• P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd
SI4432-B1-FMR
25+批次包装2500pcs/盘
现货数量:10000
描述
Si4432 EZRadioPRO ISM 波段支持 240 至 930 MHz 的频率范围和 1 至 20 dBm 的输出功率范围。Si4432 采用 QFN20 封装。
特性
应用
相关链接
—— 技术参数 ——
输出功率 (dBm)
20
FSK (kbps)
256
OOK (kbps)
40
RX 灵敏度 (dBm)
1.1
BAS3005A-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述
低 VF 肖特基二极管。
特性
• 正向电流：0.5 A
• 反向电压：30 V
• 非常低的正向电压（典型值）0.45 V @ IF = 0.5 A)
• 适用于低损耗、快速恢复保护和钳位应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAT15-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述
这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
特性
翻译
• Low inductance LS = 0.2 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
• TSSLP-2-3 package(0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm)with a 0201 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen free
应用
翻译
• For mixers and detectors in:
JXD2-0Z14NL
26+批次包装50pcs/一托盘
现货数量:50
—— 技术参数 ——
Mounting
THT
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
44
-40C to +85C
Mounting
THT
Length (mm)
16.9
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
Height (mm)
16.95
44
-40C to +85C
Width (mm)
16.1
Length (mm)
16.9
Automotive (Y/N)
No
Height (mm)
16.95
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Width (mm)
16.1
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Automotive (Y/N)
No
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT
IPP055N08NF2S
25+批次包装50pcs/管
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机
BFR181W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述
NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器
特性
• 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA
• fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
应用
• 汽车车身控制模块 (BCM)
BCR420U E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:57000
描述
BCR420U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率和中功率 LED 而设计。
特性
• LED 驱动电流预设为 10mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 40V
• NPN 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 1000mW
• 符合 AEC Q101 要求
应用
• 汽车 24 GHz 雷达系统
BFR193F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB，频率为 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素（符合 WEEE 标准）产品
应用
• 移动设备和智能手机解决方案
BCX51-16 H6327
18+批次包装3000pcs/盘
现货数量:14000
—— 技术参数 ——
IC
1000 mA
ICMmax
1500 mA
VCBOmax
45 V
VCEOmax
45 V
Polarity
PNP (Single)
BCR401W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:165000
描述
BCR401W 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。
特性
• LED 驱动电流预设为 10mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 18V
• PNP 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 500mW
• 符合 AEC Q101 要求
应用
• 可逆安全带预紧器
ICE3BR2280JZ
26+批次包装50pcs/管
现货数量:6000
描述
集成电源管理IC，集成800V雪崩耐压CoolMOS ™ 、启动单元和固定频率电流模式反激PWM控制器。适用于 13W SMPS 设计。附加功能包括输入 CCM 模式、锁存使能、快速锁存复位、掉电功能、主动突发模式操作以实现极低的待机功耗、频率抖动以获得低 EMI 等。
特性
• 峰值电流控制（电流模式）
• 65kHz 固定开关频率，带频率抖动（低 EMI）
• 可调消隐窗口
• 增强型主动突发模式（低待机功耗 <100mW）
• 增强型集成保护功能（自动重启）
• 精确的峰值功率限制
• 调制栅极驱动
• 掉电
• 自动重启使能引脚等
应用
• 离线式 UPS — 高频变压器
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联系方式：19068080998 张R
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