共 303 款产品
AT32F435CGT7
26+批次包装2500pcs/盘
现货数量:10000
描述
雅特力科技AT32F435系列超高效能微控制器，搭载32位ARM® Cortex®-M4内核，配合先进工艺与整合技术缔造业界Cortex®-M4最高主频效能288MHz的运算速度。内建的单精度浮点运算单元(FPU)、数字信号处理器(DSP)及存储器保护单元(MPU)，搭配丰富的外设及灵活的时钟控制机制，能满足多种领域应用。最高可支持超大容量4032KB的闪存(Flash)和高达512KB的SRAM，超越业界同级芯片水平。
AT32F435系列除集成高效能的运算效能外，也导入sLib安全库(Security Library)，可支持密码保护指定范围程序区，方案商烧录核心算法到此区域，提供给下游客户做二次开发。另外支持2个OTG控制器(设备模式支持不须外挂晶振[Xtal-less])、多达2个QSPI接口，用于支持外部SPI闪存存储器或SPI RAM扩增、8组UART串口、2组CAN总线、4组SPI/I²S(2组全双工)、3组高速(5.33 Msps)ADC独立引擎、8~14位并行照相机接口(DVP)，另外XMC可支持SDRAM、SRAM、PSRAM等存储器扩增，可同时提升终端产品的可靠度与降低成本的多重用途。AT32F435可运行于工业级温度范围-40~105°C，并因应多样的内存使用需求，提供一系列芯片供选用，其丰富的片上资源分配、高集成及高性价比的一流市场竞争力，特别适用于工业自动化(industrial automation)，电机控制(motor control)，物联网(IoT)及消费性电子(consumer electronics)等各种高运算、大存储需求的设计。
特性
效能/性能
• ARM® Cortex®-M4主频最高288MHz
• 单精度浮点运算单元
• 具有DSP指令集
• 2.6V ~ 3.6V 供电电压
• I/Os 可承受 5V 电平
• 温度范围-40 ~ +105°C
內存
• 256/1024/4032KB 闪存
• 128~512KB SRAM
• sLib: 将指定之主存储区设为执行代码安全库区(仅能调用无法读取)
• 多达2个QSPI接口，可扩展闪存或 RAM，并支持地址映射模式
时钟
• PLL (288 MHz输出)
• 外部高速 4 ~ 25 MHz晶体振荡器
• 内部高速 48 MHz RC振荡器(-40°C ~ 105°C)
• 带自动时钟校准功能(ACC)(25 °C达1 %精度, -40°C ~ 105°C达2.5 %精度)
• 外部低速 32.768kHz RTC 晶体振荡器
• 内部低速 40kHz RC振荡器
复位和电源管理
• 睡眠、停机、和待机模式
• 上电/断电复位(POR/LVM)
• 可编程电压监测器(PVM)
• VBAT为RTC和20个32位的后备寄存器供电
模拟高性能外设
• 3组5.33M采样速率12位A/D转换器(24通道)
• 2通道12位D/A转换器
定时器
• 3个16位带死区控制PWM高级控制定时器
• 2个32位, 8个16位通用定时器
• 2个16位基本定时器
• 2个看门狗定时器(独立和窗口型)
• 1个系统时间定时器: 24位自减型
ERTC：增强型RTC，具有闹钟、亚秒级精度、及硬件日历
通信接口
• 3 x I²C (支持SMBus/PMBus)
• 4 x SPI / I²S (SPI可达36MHz)(其中I²S2/I²S3支持全双工)
• 4 x USART + 4 x UART (支持ISO7816，LIN，IrDA接口和调制解调控制)
• 2 x SDIO
• 2 x OTG全速控制器, 设备模式时支持无晶振（Crystal-less）
• 2 x CAN 2.0B
• 红外发射器
DMA
• 22通道，支持定时器、ADC、DAC、SDIO、I²S、SPI、I²C、DVP、QSPI和USART
快速I/O端口
• 多达116个I/O端口, 所有I/O口可映像到16个外部中断； 几乎所有I/O口可容忍5V输入信号
• 所有I/O口均为快速I/O, 寄存器访问速度最高fᴀʜʙ
XMC
• 支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器
• 支持并行LCD接口, 兼容8080/6800模式
DVP
• 8~14位并行照相机接口
封装
• QFN48 6 x 6 mm
• LQFP48 7 x 7 mm
• LQFP64 10 x 10 mm
• LQFP100 14 x 14 mm
• LQFP144 20 x 20 mm
SGM4812YMS10/TR
26+批次包装4000pcs/盘
现货数量:4000
描述
SGM4812 是一款具有高电平有效关断模式的立体声音频功率放大器，旨在最大限度提升便携式应用的音频性能。这款音频功率放大器专为需要少元件的便携式应用设计，可采用 2.7V 至 5.5V 单电源供电。在 5.0V 电源驱动 16Ω 扬声器时，每通道能提供 132mW 的连续平均功率，失真（THD+N）典型值为 0.1%。
放大器增益无需外部补偿，可通过每个输入通道的两个电阻进行外部配置。
SGM4812 具备高电平有效、微功耗关断模式（可由外部控制）以及内部热关断保护功能。
SGM4812 采用绿色 MSOP-10 封装，工作环境温度范围为 -40℃ 至 +85℃。
特性
• 电源电压范围：2.7V 至 5.5V
• 双通道差分输入
• 5V 电源供电时，16Ω 负载输出功率为 132mW，THD+N = 0.1%（典型值，每通道）
• 5V 电源供电时，32Ω 负载输出功率为 88mW，THD+N = 0.1%（典型值，每通道）
• 低关断电流：5V 时 0.36μA（典型值）
• 关断引脚兼容 1.8V 逻辑电压
• 内置防爆电路
• 热关断和短路保护
• 内置中轨电压生成
• 工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
• 采用绿色 MSOP-10 封装
应用
移动电话
便携式电子系统
笔记本电脑
PDA
GPS
BGS14MPA9 E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:9000
描述
翻译
BGS14MPA9 is a Single Pole Four Throw (SP4T) high power switch in a very compact 9-pin package with very small size of only 1.1x1.1mm2 and a maximum thickness of 0.65mm.\
特性
翻译
·0.05 to 6.0 GHz coverage for FM Radio, LTE, LAA and 5G application
·Low insertion loss and high isolation up to 6 GHz
·High linearity with ultra low harmonic generation
·Up to 37 dBm operating RF input power
·No decoupling capacitors required if no DC applied on RF lines
·Integrated MIPI RFFE interface
·Software programmable MIPI RFFE USID
·Small form factor 1.1mm x 1.1mm
·No power supply blocking required
·50-Ohm termination enabling at isolation mode
应用
翻译
Suitable for multi-mode LTE and WCDMA multi antenna applications
BAS70-07 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
BAR90-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述
这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高压处理能力，并且具有低损耗和低失真水平。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计并支持设计人员创建更小、更轻的最终解决方案。
特性
翻译
• Very low capacitance C = 0.23 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 GHz
• Low forward resistance RF = 1.6 Ω(typical)at IF = 3 mA and frequency f = 100 MHz
• Balanced ON / OFF harmonic distortion
• TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free
应用
翻译
• Optimized for low bias current RF and high-speed interface switches in:
SP400-11-01
25+批次包装1800pcs/盘
现货数量:54000
描述
英飞凌XENSIV ™ SP40PLUS：高度集成的TPMS传感器模块。集微控制器、传感器和外围设备于一体。需要最少的无源元件和电池。三种衍生产品：SP400-11-01（100 ... 900 kPa，闪存 12 kB），SP400-11-11（100 ... 900 kPa，闪存 12+2 kB），SP400-15-11（卡车衍生产品，100 ... 1400 kPa，闪存 12+2 kB）。
特性
• 带 MC 的压力传感器
• 已校准的压力传感器
• 用于运动检测的 Zaxis 加速度计
• 温度和电源电压传感器
• 行业标准 8051 微控制器
• 灵活的唤醒管理功能
• 支持轮胎定位 (APS)
• LF 接收器允许载波检测
BCR523 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述
NPN硅数字晶体管
特性
• 开关电路、逆变电路、驱动电路
• 内置偏置电阻 (R1= 1 kΩ, R2= 10 kΩ)
• BCR523U：两个（电流）内部隔离晶体管，采用单一封装，匹配性良好
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BCR533 E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述
NPN硅数字晶体管
特性
• 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 标准
PA1835NLT
26+批次包100pcs/盘
现货数量:10000
—— 技术参数 ——
Inductance (uH)
4.5
Footprint Area (LxW) (mm2)
630.6
Mounting
SMT
1DCR (mOhms)
FLYBACK
1Construction
33
Inductance (uH)5
FUNCTIONAL
Inductance (uH)Construction
0
30
3
ConstructionDCR (mOhms)
36-72
Length (mm)
29.21
Height (mm)
11.43
114
Low Voltage (4-80V)
Width (mm)
21.59
1DCR (mOhms)5
1800
Automotive (Y/N)
IM69D127V11
26+批次包装5000pcs/盘
现货数量:30000
描述
是一款超高性能数字PDM MEMS麦克风，专为需要非常高信噪比（低自噪声）和低失真（高AOP）的应用而设计，并且具有IP57级防尘防水能力。一流的69dB(A)信噪比，可实现远场和低音量音频拾取。平坦的频率响应（40Hz低频滚降）和严格的制造公差，提高了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风ASIC包含一个极低噪声前置放大器和一个高性能sigma-delta ADC。可以选择不同的功率模式，以满足特定的时钟频率和电流消耗要求。每个麦克风都采用先进的校准算法进行校准，从而实现低灵敏度公差 (±1dB)。
TLV4961-1TA
25+批次包装4000pcs/袋
现货数量:32000
描述
TLV496x-xTA/B 磁性开关系列：非常适合非接触式位置传感。精密霍尔开关/锁存器（单极/双极）的经济高效的解决方案。宽工作温度范围和优异的磁性能。适用于索引计数、转子位置检测（在 BLDC 电机中）、开/关检测。
特性
• 3.0 V 至 26 V 工作电源电压
• 低电流消耗 1.6 mA
• ESD 保护 4 kV HBM
• 采用非稳压电源供电
• 输出过流、过热保护
• 主动误差补偿（斩波）
• 工作温度范围：-40 °C 至 125 °C
• 高 ESD 性能
• 符合 JESD47 标准
应用
翻译
• Target applications for the TLV496x Hall Latch family are all applications which require a high precision Hall Latch with an operating temperature range from -40°C to 125°C.
• The magnetic behavior as a latch and switching thresholds of typical ±2 mT make the device especially suited for the use with a pole wheel for index counting applications, for rotor position detection as in brushless DC motor commutation and for white goods or open/closing detection.
BAT54-04W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述
硅肖特基二极管
特性
• 适用于低损耗、快速恢复、电表保护
• 偏置隔离和钳位应用
• 保护环保护
• 低正向电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
应用
• 舱内无线充电
BFU550A
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述
翻译
NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT23package.
The BFU550A is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to mediumpower applications up to 2 GHz.
特性
翻译
Low noise, high breakdown RF transistor
AEC-Q101 qualified
Minimum noise figure (NFmin) = 0.6 dB at 900 MHz
Maximum stable gain 18 dB at 900 MHz
11 GHz fT silicon technology
应用
要求高电源电压和高击穿电压的应用
高达2 GHz的宽带放大器
针对ISM应用的低噪声放大器
ISM频段振荡器
U3115C
25+批次包装4000pcs/盘
现货数量:4000
描述
U3115C完全运行至 +200V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 200 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或IGBT。
特性
翻译
• Integrated bootstrap Diode(1)
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +350V
• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
• Gate drive supply range from 5 to 20V
• Undervoltage lockout
• 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels
ESD203-B1-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述
超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管
特性
• ESD/瞬态保护符合以下标准：– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 50 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 5A (8/20 µs)
• 双向，工作电压最高可达 VRWM = ±12 V。
• 低电容：CL = 6 pF（典型值）
• 超低动态电阻：RDYN = 0.29 Ω 典型值。
• 低反向电流。IR = 50nA（最大值）
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装
应用
翻译
• ESD protection of keypad, touchpad, buttons, audio lines, ect.
• Pin 1 marking(lasered)
• TSLP-2
• TSSLP-2
• a)Pin configuration
• b)Schematic diagram
• P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd
SI4432-B1-FMR
25+批次包装2500pcs/盘
现货数量:10000
描述
Si4432 EZRadioPRO ISM 波段支持 240 至 930 MHz 的频率范围和 1 至 20 dBm 的输出功率范围。Si4432 采用 QFN20 封装。
特性
应用
相关链接
—— 技术参数 ——
输出功率 (dBm)
20
FSK (kbps)
256
OOK (kbps)
40
RX 灵敏度 (dBm)
1.1
BAS3005A-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述
低 VF 肖特基二极管。
特性
• 正向电流：0.5 A
• 反向电压：30 V
• 非常低的正向电压（典型值）0.45 V @ IF = 0.5 A)
• 适用于低损耗、快速恢复保护和钳位应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAT15-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述
这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
特性
翻译
• Low inductance LS = 0.2 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
• TSSLP-2-3 package(0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm)with a 0201 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen free
应用
翻译
• For mixers and detectors in:
JXD2-0Z14NL
26+批次包装50pcs/一托盘
现货数量:50
—— 技术参数 ——
Mounting
THT
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
44
-40C to +85C
Mounting
THT
Length (mm)
16.9
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
Height (mm)
16.95
44
-40C to +85C
Width (mm)
16.1
Length (mm)
16.9
Automotive (Y/N)
No
Height (mm)
16.95
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Width (mm)
16.1
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Automotive (Y/N)
No
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT
IPP055N08NF2S
25+批次包装50pcs/管
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机
返回顶部
联系方式：19068080998 张R
地址：深圳市福田区华强广场 C 座 13E
En
首页 > 
邮箱：