共 221 款产品
BFR106 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:62800
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 高线性低噪声射频晶体管
• 22 dBm OP1dB 和 31 dBm OIP3 @ 900 MHz，8 V，70 mA
• 适用于 UHF / VHF 应用
• 多级放大器驱动器
• 适用于线性宽带和天线放大器
• 集电极设计支持 5 V 电源电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP740F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:39000描述 BFP740F 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 1 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms：21 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• 薄型小尺寸无引线封装 应用 • 家用机器人
BAT15-03W E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-03W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.8 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.28 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOD323 package(2.5 mm x 1.25 mm x 0.9 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
ESD245-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:300000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±5.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 5.8 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.10 Ω时，V_cl = 7.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑、台式电脑、模块（WIFI、指纹识别、闪存）
BFQ19S H6327
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:10000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 10 mA 至 70 mA
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAR64-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量；111000
描述 这款英飞凌成本优化的射频 PIN 二极管具有快速开关高压处理能力、低功耗，最适合高达 3 GHz 的频率。其极低的电容和极低的正向电阻使其适用于各种开关应用，简化设计并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 且频率 f ≥ 1 GHz 时，电容 C = 0.23 pF（典型值）
• 正向电流 IF = 5 mA 且频率 f = 100 MHz 时，正向电阻 RF = 1.4 Ω（典型值）
• 低电感 Ls = 0.6 nH（典型值）
• 载流子寿命 τ = 75 ns（典型值）
• 行业标准 SC79 封装（1.6 mm x 0.8 mm x 0.55 mm）
• 无铅、符合 RoHS 且无卤素 应用 翻译 • Optimized for low bias current RF and high-speed interface switches and attenuators
BGA855N6 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:168000
描述 BGA855N6 旨在增强 L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其适用于非常高的精度。除了 GPS L5 和 L2 之外，GNSS LNA 还覆盖伽利略 E5a、E5b、E6、格洛纳斯 G3、G2 和北斗 B3 和 B2 频段，频率范围为 1164 MHz 至 1300 MHz。LNA 提供 17.8 dB 增益和 0.6 dB 噪声系数，电流消耗为 4.8mA。BGA855N6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.1 V 至 3.3 V。 特性 • 用于 L2/L5 频率的 GPS LNA
• 将 GPS 精度提高到厘米级（约 30 厘米）
• 改进 GPS 的室内导航
• 1.2V 支持
• 专为高精度 GPS 设备设计 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
SAK-TC397XP-256F300S BC
2202+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3
—— 技术参数 —— Product Status active and preferred Product Status active and preferred Package name PG-LFBGA-292 Package name PG-LFBGA-292 Clock Frequency max Clock Frequency max Clock Frequency 300 MHz Clock Frequency 300 MHz ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 # of cores / lockstep cores 6/4 # of cores / lockstep cores 6/4 Type of Memory Type of Memory Program Memory 16 MByte Program Memory 16 MByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte CAN Nodes 12 CAN Nodes 12 Number of ADC Modules 18 Number of ADC Modules 18 A/D Input Lines A/D Input Lines FlexRayTM 2 FlexRayTM 2 DMA Channels 128 DMA Channels 128 Temperature -40°C to 125°C Temperature -40°C to 125°C LIN 12 LIN 12 SPI 6 SPI 6 eMMC yes eMMC yes Hardware Accelerator no Hardware Accelerator no External Bus Interface External Bus Interface DSP Functionality Yes DSP Functionality Yes On-chip Clock Generation yes On-chip Clock Generation yes On-chip Voltage Regulator yes On-chip Voltage Regulator yes Real Time Clock yes Real Time Clock yes Floating Point Unit yes Floating Point Unit yes Watchdog Timer Watchdog Timer Oscillator Watchdog yes Oscillator Watchdog yes Green yes Green yes Halogen-free yes Halogen-free yes
ISC0702NLS
2116+批次包装5000pcs/盘
现货数量:100
商品概述 CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计导入过程中不影响其易实现性。 商品特性 适用于高频开关 针对充电器进行优化 经过100%雪崩测试 卓越的热阻性能 N沟道、逻辑电平 无铅引脚镀层;符合RoHS标准 根据IEC61249-2-21标准无卤 适用于标准等级应用 应用领域 软开关拓扑 移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
IRFR540ZTRPBF
25+批次包装2000pcs/盘
现货数量:10000
商品概述 这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,适用于各种应用。 商品特性 • 先进的工艺技术 • 超低导通电阻 • 175°C工作温度 • 快速开关 • 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩 • 无铅 • 无卤
ESD5V5U5ULC E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
商品特性 • 高速数据线的ESD/瞬态保护性能超过： • IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触） • IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV/±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±6 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM = 5.5 V • 极低电容：CL = 0.45 pF / 输入输出端到地（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值），输入输出端到地 • 极低反向钳位电压：在IPP = 16 A时，VCL = 9 V（典型值） • 可自由选择单线路对VBUS进行保护 应用领域 • 双USB2.0端口中所有输入输出端和VBUS线路的保护 • 10/100/1000以太网 • DVI、HDMI、FireWire
ESD307-U1-02N E6327
2430+ 2411+批次包装75000pcs/盘
现货数量:15000
描述 USB V BUS 线路的单向 ESD/瞬态/浪涌保护 特性 翻译 • ESD / Transient / Surge protection according to: 应用 翻译 • Surge protection of USB VBUS lines in mobile devices
• Pin 1 marking(lasered)
• PinConf_and_SchematicDiag.vsd
ESD24VS2U E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:189000
描述 硅TVS二极管 特性 • CAN/LIN 总线网络电源线的 ESD / 瞬态保护符合以下标准：IEC61000-4-2 (ESD): ±30kV (空气/接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 80 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 5 A (8/20μs)、ISO7637-2: 脉冲 1 (最大)。50 V）、脉冲 2（最大）125 V)、脉冲 3a、b (最大 800 V)
• 最大工作电压：24 V
• 低电容：24 pF 典型值
• 低钳位电压：< 41 V
• 极低反向电流：< 1 nA 典型值
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 柴油直喷式
ESD207-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 8A (8/20 µs)
• 双向，工作电压高达 VRWM = ±3.3V 最大值。
• 低电容：CL = 14 pF（典型值）
• 超低动态电阻：RDYN = 0.13 Ω 典型值。
• 低反向电流。IR = 50nA（最大值）
• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装 应用 翻译 • Audio Line, Speaker, Headset, Microphone Protection
• Human Interface Devices(Keyboard, Touchpad, Buttons)
• Pin 1 marking(lasered)
• TSLP-2
• TSSLP-2
• a)Pin configuration
• b)Schematic diagram
• P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd
ESD188-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:45500
描述 具有双向I/V特性、优异钳位性能、极低电容和插入损耗的ESD保护器件 特性 • 最大工作电压：±1 V
• 二极管型 I/V 特性
• 线路电容：f = 12.8 GHz 时为 0.06 pF
• 插入损耗：f = 12.8 GHz 时 0.1 dB
• 钳位电压：ITLP = 16 A 时 6.9 V
• IEC61000-4-2 (ESD)：±20 kV（空气）/ ±15 kV（接触）
• IEC61000-4-4 (EFT)：±2 kV / ±40 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A (8/20 μs)
• 小尺寸：0.58x0.28x0.15 mm³
ESD150-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:165000
描述 双向、3.3 V、0.15 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准专为 USB 3.1 Gen 1 和 Gen 2 设计 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±12/±12 kV (空气/接触放电)
• IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV / ±30 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±3 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±3.3V
• 线路电容：CL = 0.15 pF（典型值），f = 10 GHz
• 钳位电压：VCL = 5.4 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.16 Ω（典型值）
• 极低反向电流：IL < 0.1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 尺寸 0201，薄型（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm）
• 双向对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
ESD130-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:75000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±18 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.3 pF • 钳位电压：在 ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.8 Ω 时，Vcl = 20 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装 0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • USB 3.x Gen. 1、USB 2.0 • HDMI、DisplayPort
ESD114-U1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:390000
商品特性 • 高速数据线的静电放电（ESD）/瞬态保护能力超过 • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM= 5.3mV • 超低电容：CL= 0.4 pF（典型值） • 在 ITLP= 16A 时，钳位电压极低，VCL= +20 / -15V（典型值） • 动态电阻低，RDYN= 0.5Ω（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI 等 • HDMI、DisplayPort、DVI、以太网、Firewire、S - ATA
ESD113-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
商品特性 • 依据以下标准对高速数据线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向，最高工作电压：VRWM = ±3.6 V • 超低压电容：在 f = 1 GHz 时，CL = 0.20 pF（典型值） • 极低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 14 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.45 Ω（典型值） • 无铅无卤封装（符合 RoHS 标准） 应用领域 • USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S - ATA、DisplayPort、Thunderbolt • 移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC
ESD112-B1-02EL E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:120000
商品特性 • 依据以下标准对射频信号线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM 5.3V • 极低电容：CL= 0.2pF（典型值） • 低钳位电压：在 IPP= 16A 时，VCL= 29V（典型值） • 极低反向电流 IR< 1nA（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达 0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 敏感射频信号线、蓝牙 2 类、自动抄表系统的静电放电保护 • 射频天线保护、前端模块、全球定位系统（GPS）、移动电视、调频收音机、超宽带（UWB）
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