共 221 款产品
BGA427 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2500
描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 无条件稳定
• 增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA）
• 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz
• 典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V
• 反向隔离 > 35 dB（应用 2）
• 无铅（符合 RoHS 标准的）封装
BFR92P E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:5000
描述 NPN 硅射频晶体管，适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 特性 • 适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 消费类电子产品
BFR380F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:87000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性度低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 19.5 dBm @ 1.8 GHz
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 低噪声系数 1.1 dB @ 1.8 GHz
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR360F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电流应用的低噪声放大器
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 1.8 GHz 时低噪声系数 1.0 dB
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR340F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 通用低噪声放大器
• 非常适合低电流操作
• 高击穿电压使其能够在汽车应用中运行
• 最小噪声系数 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz
• 小型封装尺寸为 1.2 x 1.2 mm2，带可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR193W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR182W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:20000
描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA
• fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP842ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:89000
描述 BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 16 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 57 GHz 可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 0.65 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，5 mA
• 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• OIP3 = 25.5 dBm @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻
BFP840ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:7400
描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
BFP780H6327
19+批次现货数量:500
描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA
·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency
·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA
·Single stage, intended for external matching
·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm
·Safe operation with single 5 V supply
·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact
·100% DC and RF tested
·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development
·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume
·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W
应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain
·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain
·IF or LO buffer amplifier
·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations
·Repeaters
·Automated test equipment
·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS
·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS
·ISM, AMR
·UHF television, CATV, DBS
BFP760 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:42000
描述
BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
翻译
• 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
• 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
• OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
BFP740ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:141000
描述
BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
• 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
• NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA
• 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
• OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
BFP740 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:156000
描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
• OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
BFP640 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB
• 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB
• 镀金处理，可靠性更高
• 70 GHz fT-硅锗技术
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP620 H7764
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2000
描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管
• 为各种无线应用提供出色的性能
• 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度
• 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB
• 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz）
• 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz）
• 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP540ESD H6327
24+批次包装3000pcs/盘
现货数量:12000
描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)）
• 出色的 Gms = 21.5 dB
• 噪声系数 F = 0.9 dB
• 镀金处理，可靠性高
• SIEGET ® 45 - Line
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP520 H6327
2133+批次包装3000pcs/盘
现货数量:48000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低噪声放大器专为低电压应用而设计，适用于 1.2 V 或 1.8 V 电源电压。支持 2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。
• 高由于传输频率高，fT = 45 GHz，高频下增益高，噪声低
• 可用于无绳电话和卫星接收器等
• 无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带可见引线
BFP183 E7764
2427+批次包装3000pcs/盘
现货数量:57000
—— 技术参数 ——
fT 8 GHz Gmax 22 dB @900 MHz ICmax 65 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz OIP3 26.5 dBm Ptot 250 mW VCEOmax 12 V
BF776 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:120000
描述 高性能 NPN 双极射频晶体管 特性 • 高性能低噪声放大器
• 典型值最低噪声系数低。0.8 dB @ 1.8 GHz
• 适用于各种非汽车应用，例如 WLAN、WiMax、UWB、蓝牙、GPS、SDAR、DAB、LNB、UMTS/LTE 和 ISM 频段
• 易于使用的标准封装，带有可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BDP953 H6327
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:13000
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3A
电压 - 集射极击穿（最大值） 100V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 500mA，1V
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