共 249 款产品
BGA729N6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量;600
描述 BGA729N6 是一款宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC，适用于便携式和移动电视应用，其频率范围覆盖 70 MHz 至 1000 MHz。在应用配置中，LNA 在 6.0 mA 的电流消耗下提供 16.3 dB 增益和 1.1 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -4.0dB 的插入损耗。BGA729N6 基于英飞凌科技 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 插入功率增益：16.3 dB
• 旁路模式下的插入损耗：-4.0 dB
• 低噪声系数：1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB
• 低电流消耗：6.0 mA
• 关机功能
• 工作频率：70 -1000 MHz
• 三态控制：关闭、旁路和高增益模式
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 超小型 TSNP-6-2 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• 无需外部匹配电感
• 射频输入和输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 2 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
BGA725L6 E6327
24+批次包装15000pcs/盘
现货数量:10500
描述 BGA725L6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在所述应用配置中，LNA 在 3.6 mA 的电流消耗下提供 20.0 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。BGA725L6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：20.0 dB
• 带外输入三阶截取点：-2 dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-15 dBm
• 低噪声系数：0.65 dB
• 低电流消耗：3.6 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.6 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSLP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BGA715N7 E6327
25+批次包装7500pcs/盘
现货数量:79000
描述 BGA715N7 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。LNA 在应用配置中提供 20 dB 增益、0.7 dB 噪声系数和高线性度性能。电流消耗低至3.3 mA。BGA715N7 基于英飞凌科技的 B7HFM 硅锗技术。其工作电源电压范围为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 高增益：20 dB
• 低噪声系数：0.7 dB
• 低电流消耗：3.3 mA
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 高输入压缩点：-15.5 dBm（1.8 V 电源电压）
• 高输入第三截取点：-7 dBm（1.8 V 电源电压）
• B7HFM 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 外部元件数量少
• 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• TSNP-7-1/TSNP-7-2 无铅封装
• 湿度敏感度等级：MSL 1
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA622 H6820
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
属性 参数值
商品目录 射频低噪声放大器
工作电压 2.75V
工作电流 5.8mA
增益 15dB
P1dB -16.5dBm
噪声系数 1.05dB
属性 参数值
工作温度 -65℃~+150℃
频率 500MHz~6GHz
输入回波损耗 7dB
输出回波损耗 12dB
IP3 3dBm
功能特性 输入匹配集成；ESD保护；快速使能控制；输出匹配集成
BGA616 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:10500
描述 BGA616 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 60 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA616 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.7 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19.0 dB
• 压缩点 P-1dB = 18 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.60 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA614 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:49000
描述 BGA614 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 40 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA614 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.4 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19 dB
• 压缩点 P-1dB = 12 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.1 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA525N6 E6327
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:33400
描述 BGA525N6 旨在增强 L1/L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其是在可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用中。由于该LNA具有高增益和超低噪声系数，因此系统灵敏度与传统LNA相比有显著提高。除了标准模式外，BGA525N6 还提供低功耗模式和高增益模式。在低功耗模式下运行时，LNA 消耗的功率不到 2 mW，从而节省宝贵的电池电量，非常适合小型电池供电的 GNSS 设备。在高增益模式下运行，LNA 可提供高达 21 dB 的增益并确保最佳性能和最快的首次修复时间。GPIO 控制接口可直接控制 4 种不同的操作模式。宽带设计确保 1164 至 1615 MHz 范围内的所有 GNSS 信号以相同的匹配方式发挥作用。BGA525N6 可实现具有一个 RF 路径的简化双频 GNSS 系统设计。 特性 • 工作频率：1164 至 1615 MHz
• 多种工作模式，适用于不同应用
• 电流消耗低至 1.5 mA
• 宽电源电压范围：1.1 V 至 3.3 V
• 插入功率增益高达 21 dB
• 噪声系数低至 0.7 dB
• 2 kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• 宽带设计允许 L1、L2、L5 同时操作
BGA524N6 E6329
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:180000
描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB
• 带外输入三阶截取点：-4dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 极低电流消耗：2.5 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA427 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2500
描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 无条件稳定
• 增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA）
• 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz
• 典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V
• 反向隔离 > 35 dB（应用 2）
• 无铅（符合 RoHS 标准的）封装
BFR92P E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:5000
描述 NPN 硅射频晶体管，适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 特性 • 适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 消费类电子产品
BFR380F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:87000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性度低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 19.5 dBm @ 1.8 GHz
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 低噪声系数 1.1 dB @ 1.8 GHz
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR360F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电流应用的低噪声放大器
• 集电极设计支持 5V 电源电压
• 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器
• 1.8 GHz 时低噪声系数 1.0 dB
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR340F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:3000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 通用低噪声放大器
• 非常适合低电流操作
• 高击穿电压使其能够在汽车应用中运行
• 最小噪声系数 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz
• 小型封装尺寸为 1.2 x 1.2 mm2，带可见引线
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR193W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFR182W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:20000
描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA
• fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BFP842ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:89000
描述 BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 16 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 57 GHz 可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 0.65 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，5 mA
• 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• OIP3 = 25.5 dBm @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻
BFP840ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:7400
描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA
• 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
BFP780H6327
19+批次现货数量:500
描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA
·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency
·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA
·Single stage, intended for external matching
·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm
·Safe operation with single 5 V supply
·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact
·100% DC and RF tested
·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development
·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume
·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W
应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain
·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain
·IF or LO buffer amplifier
·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations
·Repeaters
·Automated test equipment
·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS
·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS
·ISM, AMR
·UHF television, CATV, DBS
BFP760 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:42000
描述
BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
翻译
• 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
• 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
• OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
BFP740ESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:141000
描述
BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
特性
• 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
• NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA
• 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
• OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA
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