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G3R350MT12J-TR品牌(Navitas纳微)

G3R350MT12J-TR
2411+批次包装800个/圆盘
现货数量:8
商品参数 资料纠错 查看类似商品   属性 参数值   商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET)   数量 1个N沟道   类型 N沟道   漏源电压(Vdss) 1.2kV   连续漏极电流(Id) 10A   耗散功率(Pd) 64W   阈值电压(Vgs(th)) 2.7V   属性 参数值   栅极电荷量(Qg) 10nC   输入电容(Ciss) 331pF   反向传输电容(Crss) 0.8pF   工作温度 -55℃~+175℃   输出电容(Coss) 10pF   导通电阻(RDS(on)) 350mΩ

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Infineon英飞凌(射频RF.TVS.ESD)全系列产品线，普思pulse(天线,滤波器,变压器)

等全系列产品线-普思pulse品牌可提供原厂COC出货文件证明，提供技术支持，

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